Semiconductores Discretos de Mitsubishi Electric

Aicox Soluciones y Mitsubishi Electric presentan la nueva familia de semiconductores discretos basados en tecnología de Carburo de Silicio.

Los diodos Schottky (SiC-SBD) de 20 Amperios/ 600 voltios en encapsulado TO-220FP (2 pines) ya están disponibles y la versión en encapsulado TO-247AD de 3 pines estarán disponibles en el año en curso.

Gracias a la tecnología de Carburo de Silicio de Mitsubishi, se obtienen bajas perdidas en DC, alta capacidad ante sobre corriente y reducción de la resistencia térmica.
Los principales aplicaciones para el mercado de consumo son: PFC, fuentes conmutadas e inversores fotovoltaicos.

Mitsubishi Electric tiene previsto lanzar nuevos SiC-BSD en 1200V para los sectores industrial y automoción y SiC-MOSFET discretos en 600V y 1200V para los mercados de consumo e industrial.